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SUD23N06-31
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
50
40
30
V GS = 10 V thru 6 V
5V
10
8
6
20
10
4V
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
3V
0
T C = - 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
32
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
24
25 °C
0.08
125 °C
0.06
16
V GS = 4.5 V
0.04
V GS = 10 V
8
0.02
0
0.00
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
1000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 23 A
V DS = 30 V
800
600
400
C iss
8
6
4
V DS = 15 V
V DS = 45 V
200
0
C rss
C oss
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 68857
S11-0181-Rev. B, 07-Feb-11
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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